IRLML6346TRPBF vs BSS306NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve BSS306NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6346TRPBF BSS306NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) 2.3 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket Micro3 / SOT-23 SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
MSL Seviyesi 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin