K9UMGB8U7M vs K9PDG08U5M Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9UMGB8U7M por Samsung Electronics e K9PDG08U5M por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9UMGB8U7M K9UMGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9UMGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9UMGB8U7M ✓ Ativo
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K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ Fim de vida

Comparação de especificações

Parâmetro K9UMGB8U7M K9PDG08U5M
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Fim de vida
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $4,20
Tipo de memória NAND Flash NAND Flash (SLC)
Manufacturer Samsung Electronics —
Family K9U series NAND Flash —
Data Interface [DATA_NEEDED: Data Interface] —
Density [DATA_NEEDED: Memory Density] 4 Gbit
Organização da memória [DATA_NEEDED: Memory Organization] x8 (multiplexed I/O)
Cell Type [DATA_NEEDED: Cell Type (SLC/MLC/TLC)] —
Tensão de alimentação [DATA_NEEDED: Supply Voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Read Time [DATA_NEEDED: Read Time] —
Program Time [DATA_NEEDED: Program Time] —
Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento [DATA_NEEDED: Package Type] TSOP1-48
Tipo de montagem [DATA_NEEDED: Mounting Type] Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)

Fichas técnicas e recursos

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