IR21531STRPBF vs IR2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21531STRPBF מאת Infineon ו IR2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21531STRPBF IR2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Independent)
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
מספר יציאות 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
זמן עלייה 80 ns —
זמן ירידה 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
סטטוס RoHS Compliant (ROHS3) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר