IR21531STRPBF vs IR2011STRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IR21531STRPBF bằng Infineon và IR2011STRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IR21531STRPBF IR2011STRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Independent)
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Số lượng đầu ra 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Thời gian tăng lên 80 ns —
Thời gian giảm dần 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40 C to +125 C
Hộp 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant (ROHS3) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá