IR21531STRPBF vs IR2011STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR21531STRPBF توسط Infineon و IR2011STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR21531STRPBF IR2011STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Independent)
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمان صعود 80 ns —
زمان افت 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
وضعیت RoHS Compliant (ROHS3) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت