K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G165WD-BCTD от Samsung Electronics и H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G165WD-BCTD | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $19,00 | $8,09 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Интерфейс | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0C to +85C (commercial) | -40C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Technology | — | CMOS |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |