K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics et H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCTD | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $19,00 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Interface | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (commercial) | -40C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Technology | — | CMOS |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |