K9DVGB8U5M vs K9HCG08U1M Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9DVGB8U5M от Samsung Electronics и K9HCG08U1M от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9DVGB8U5M K9DVGB8U5M - Samsung NAND Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGB8U5M - Samsung NAND Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGB8U5M ✓ Активен
Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9DVGB8U5M K9HCG08U1M
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,05 $0,00
Тип памяти NAND Flash —
Организация памяти [DATA_NEEDED: capacity organization] 8G x 8
Интерфейс Asynchronous x8-bit I/O —
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: supply voltage]
Корпус [DATA_NEEDED: package type and dimensions] TSOP-48 (PDSO48)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: main page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: erase block size] [DATA_NEEDED: block size]
Read Time (tR) [DATA_NEEDED: page read cycle time] [DATA_NEEDED: read time]
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: page program time] [DATA_NEEDED: program time]
Erase Time (tBERS) [DATA_NEEDED: block erase time] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: temperature range] -40C to +105C (TA)
Access Interface Signals CLE, ALE, WE, RE, CE, R/B, WP —
Bad Block Management Host-managed (controller ECC and bad-block table required) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] —
Memory Technology — MLC NAND Flash
Total Capacity — 64 Gbit
Разрядность шины данных — 8 bit
Тип интерфейса — Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]
Ready/Busy Output — Yes (R/B#)
Die Technology — Samsung E-die (per datasheet family)
Full Ordering Code — K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену