IPB107N20N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng IPB107N20N3GATMA1 sa pamamagitan ng Infineon at IPB025N10N3GATMA1 sa pamamagitan ng Infineon. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro IPB107N20N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Brand Infineon Infineon
Kategorya MOSFETs MOSFETs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Uri ng Transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 180 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Hanay ng Temperature na Operasyon [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Packhaging PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Bilang ng Pin 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
Tindminan RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Level ng MSL — 1 (unlimited)
Wala sa Halogen — Yes

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita