IPB107N20N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB025N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ فعالInfineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB107N20N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | 180 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C (junction) |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| ہیلوجن فری | — | Yes |