MT41K256M16TG-125 vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16TG-125 sa pamamagitan ng Micron Technology at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16TG-125 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Interface | Parallel | — |
| Packhaging | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Rate ng Data | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Bilang ng Pins | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |