MT41K256M16TG-125 vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16TG-125 بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16TG-125 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| پنز کی تعداد | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |