MT41K256M16TG-125 vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16TG-125 tarafından Micron Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16TG-125 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Paket | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Veri Hızı | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Pin Sayısı | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |