1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3122MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Paket PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
Çıkış Sayısı — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Artış Süresi — 15 ns
Düşüş Süresi — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin