1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1ED3122MC12HXUMA1 bằng Infineon và 1ED3124MC12HXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1ED3122MC12HXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Product Type | Isolated Gate Driver (single-channel) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5.7 kVrms | — |
| Maximum Transient Isolation (Vpk) | 8 kVpk | — |
| Output Current (source / sink) | 10 A / 9 A | — |
| Configuration | High-side, non-inverting | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Channels | 1 | — |
| Supply Voltage (VCC / VBS) | 8 V to 35 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 30 ns | — |
| Rise Time / Fall Time (typ.) | 15 ns / 30 ns | — |
| Miller Clamp | Active (integrated) | — |
| Short-Circuit Clamping | Yes | — |
| UVLO | Primary and secondary side | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Hộp | PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 2 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Số lượng đầu ra | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Thời gian tăng lên | — | 15 ns |
| Thời gian giảm dần | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |