1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3124MU12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDB7275FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3124MU12HXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
Çıkış Konfigürasyonu Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum 300 V/ns (minimum)
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Paket PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Creepage Distance >8 mm —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin