1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MU12HXUMA1 توسط Infineon و 1EDB7275FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED3124MU12HXUMA1 1EDB7275FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
پیکربندی خروجی Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum 300 V/ns (minimum)
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
بسته‌بندی PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Creepage Distance >8 mm —
محدوده دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت