1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MU12HXUMA1 מאת Infineon ו 1EDB7275FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3124MU12HXUMA1 1EDB7275FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
תצורת מוצא Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum 300 V/ns (minimum)
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
מארז PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Creepage Distance >8 mm —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר