1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7116GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7136GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDN7116GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Fonksiyon | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | — |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | 4 A |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | 8 A |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +125 °C | — |
| Paket | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL3 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Configuration | — | Single channel, non-inverting |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |