1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7136GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 1EDN7116GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فنکشن | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | — |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | 4 A |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | 8 A |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40 °C to +125 °C | — |
| پیکیج | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL3 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Configuration | — | Single channel, non-inverting |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -40 C to +125 C |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |