1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7116GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7136UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7116GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs High-side / Low-side gate driver IC
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 1 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 2 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C -40 C to +150 C
Paket PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Çıkış Sayısı — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family convention)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin