1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7126GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7136UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7126GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET High-side / Low-side gate driver IC
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 1 A
Peak Sink Current 1.5 A 2 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C -40 C to +150 C
Paket PG-VSON-10-4 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Çıkış Sayısı — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family convention)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin