1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7126GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET High-side / Low-side gate driver IC
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 1 A
Peak Sink Current 1.5 A 2 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +150 C
מארז PG-VSON-10-4 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
מספר יציאות — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family convention)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר