1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7136UXTSA1 tarafından Infineon ve 1EDN7116GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7136UXTSA1 1EDN7116GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon High-side / Low-side gate driver IC Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Çıkış Sayısı 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 2 A 4 A (typ)
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] 9 ns
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +150 C -40 °C to +125 °C
Paket TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes (per Infineon product family convention) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin