1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7116GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7136UXTSA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| פונקציה | High-side / Low-side gate driver IC | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driven Device Type | GaN HEMT, N-channel MOSFET | — |
| מספר יציאות | 2 (high-side and low-side) | — |
| Peak Source Current | 1 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 2 A | 4 A (typ) |
| Driver Supply Voltage (Max) | 200 V | — |
| Logic Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | Truly Differential Input (TDI) |
| Active Miller Clamp | Yes (integrated) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (driver supply and logic input) | — |
| Propagation Delay (Typ) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | 9 ns |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 C to +150 C | -40 °C to +125 °C |
| מארז | TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |