1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7116GXTMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7136UXTSA1 توسط Infineon و 1EDN7116GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1EDN7136UXTSA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| عملکرد | High-side / Low-side gate driver IC | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driven Device Type | GaN HEMT, N-channel MOSFET | — |
| تعداد خروجی‌ها | 2 (high-side and low-side) | — |
| Peak Source Current | 1 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 2 A | 4 A (typ) |
| Driver Supply Voltage (Max) | 200 V | — |
| Logic Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | Truly Differential Input (TDI) |
| Active Miller Clamp | Yes (integrated) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (driver supply and logic input) | — |
| Propagation Delay (Typ) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | 9 ns |
| محدوده دمای کاری | -40 C to +150 C | -40 °C to +125 °C |
| بسته‌بندی | TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |