1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7116GXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7136UXTSA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7136UXTSA1 1EDN7116GXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن High-side / Low-side gate driver IC Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
آؤٹ پٹس کی تعداد 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 2 A 4 A (typ)
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] 9 ns
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +150 C -40 °C to +125 °C
پیکیج TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family convention) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں