2ED2738S01GXTMA1 vs IRS2110SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2738S01GXTMA1 tarafından Infineon ve IRS2110SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2738S01GXTMA1 IRS2110SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Output Current (Source, peak) 4.0 A —
Output Current (Sink, peak) 8.0 A —
Output Current (Source, typ) 1.0 A —
Output Current (Sink, typ) 2.0 A —
Çıkış Sayısı 1 —
Input Type Non-Inverting —
Input Logic Compatibility TTL TTL / CMOS with hysteresis
Supply Voltage (VDD/VCC) 6 V to 20 V —
Bootstrap Supply Voltage Up to 600 V (HS pin rating) —
Propagation Delay (typ) 120 ns —
Channel-to-Channel Match 40 ns —
Rise/Fall Time (1 nF load) 1.5 ns / 1.5 ns —
Negative Transient Immunity (HS) -10 V to +20 V transient —
Under-Voltage Lockout VCC and Bootstrap —
Bootstrap Diode Integrated —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP 16-SOIC (SOIC-16 W)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 (1 year) 3
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Çıkış Konfigürasyonu — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 C to +125 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin