2ED2738S01GXTMA1 vs IRS2110SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2738S01GXTMA1 توسط Infineon و IRS2110SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2738S01GXTMA1 2ED2738S01GXTMA1 - 8A SOI Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2738S01GXTMA1 - 8A SOI Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2738S01GXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2738S01GXTMA1 IRS2110SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Output Current (Source, peak) 4.0 A —
Output Current (Sink, peak) 8.0 A —
Output Current (Source, typ) 1.0 A —
Output Current (Sink, typ) 2.0 A —
تعداد خروجی‌ها 1 —
Input Type Non-Inverting —
Input Logic Compatibility TTL TTL / CMOS with hysteresis
Supply Voltage (VDD/VCC) 6 V to 20 V —
Bootstrap Supply Voltage Up to 600 V (HS pin rating) —
Propagation Delay (typ) 120 ns —
Channel-to-Channel Match 40 ns —
Rise/Fall Time (1 nF load) 1.5 ns / 1.5 ns —
Negative Transient Immunity (HS) -10 V to +20 V transient —
Under-Voltage Lockout VCC and Bootstrap —
Bootstrap Diode Integrated —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP 16-SOIC (SOIC-16 W)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 2 (1 year) 3
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
پیکربندی خروجی — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
محدوده دمای کاری — -40 C to +125 C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت