2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDN7533RXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7146UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDN7533RXTMA1 1EDN7146UXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 C to +150 C —
Paket PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Artış Süresi — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Düşüş Süresi — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin