2N7002-7-F vs MMBF170LT1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002-7-F tarafından Diodes Incorporated ve MMBF170LT1 tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002-7-F MMBF170LT1
Marka Diodes Incorporated onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel Enhancement-Mode MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket SOT-23-3 (TO-236) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per onsemi product page)
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Trench MOSFET DMOS
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Paket / Kas — SOT-23-3 (TO-236)
Pin Sayısı — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Polarity — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin