2N7002-7-F vs MMBF170LT1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2N7002-7-F bằng Diodes Incorporated và MMBF170LT1 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Diodes Incorporated
2N7002-7-F 2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated

2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated

2N7002-7-F ✓ Hoạt động
onsemi
MMBF170LT1 MMBF170LT1 - 60V 500mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

MMBF170LT1 - 60V 500mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

MMBF170LT1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2N7002-7-F MMBF170LT1
Thương hiệu Diodes Incorporated onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Hộp SOT-23-3 (TO-236) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (per onsemi product page)
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Trench MOSFET DMOS
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
Hộp / Vỏ — SOT-23-3 (TO-236)
Số chân — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Polarity — N-Channel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá