2N7002L vs 2N7002LT1G Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002L tarafından onsemi ve 2N7002LT1G tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 2N7002L | 2N7002LT1G |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | onsemi |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 115 mA (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 7.5 ohm max at VGS = 5V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1 V to 2.5 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 mW (Ta), 225 mW max | — |
| Technology | High cell density trench MOSFET | MOSFET |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | SOT-23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Switching Performance | Fast switching, rugged and reliable | — |
| Gate Drive | 5V logic-level enhancement mode | — |
| Typical Applications | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting | — |
| Manufacturer | onsemi | onsemi (ON Semiconductor) |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 60 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 115 mA (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 225 mW (Ta) |
| Maximum RDS(on) | — | 7.5 ohm @ VGS = 5 V |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Kategori | — | Small Signal MOSFET |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: packaging type] |