AS4C512M16D4A-62BCN vs K4A8G165WB-BCTD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AS4C512M16D4A-62BCN tarafından Alliance Memory ve K4A8G165WB-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ AktifSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | AS4C512M16D4A-62BCN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Veri Hızı | 1600 MHz (3200 Mbps) | 2666 Mbps |
| CAS Gecikme | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Paket | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C | 0C to +85C |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Arayüz | POD (Pseudo Open Drain) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |