AS4C512M16D4A-62BCN vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4A-62BCN بذریعہ Alliance Memory اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ فعالSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | AS4C512M16D4A-62BCN | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 MHz (3200 Mbps) | 2666 Mbps |
| CAS لیٹنسی | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| پیکیج | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C | 0C to +85C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| انٹرفیس | POD (Pseudo Open Drain) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |