BSC011N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC011N03LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC020N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC011N03LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) approximately 2.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin