BSC011N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC011N03LSATMA1 מאת Infineon ו BSC020N03LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC011N03LSATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 30V | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 37 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 100 A (TC) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.1 mOhm (typ) | approximately 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| Packaging | — | Tape & Reel |