BSC011N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC011N03LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC020N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC011N03LSATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 30V | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 37 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 100 A (TC) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.1 mOhm (typ) | approximately 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| Packaging | — | Tape & Reel |