BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L032ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC027N04LSGATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5 (60 V)
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55 C to +175 C (T_j)
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 Trench
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin