BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC027N04LSGATMA1 מאת Infineon ו IAUC120N06S5L032ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC027N04LSGATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5 (60 V)
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
פיזור הספק (TC=25°C) 83 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C -55 C to +175 C (T_j)
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 Trench
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר