BSC034N06NSATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC034N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N03MSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC034N06NSATMA1 BSC030N03MSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin