BSC034N06NSATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC034N06NSATMA1 bằng Infineon và BSC030N03MSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC034N06NSATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Technology | OptiMOS 5 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3M |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +150°C |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |