BSC035N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC035N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC054N04NSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC035N04LSGATMA1 | BSC054N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +150°C | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Number | — | BSC054N04NSGATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 81 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 57 W |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Lead-Free Reflow | — | Yes |