BSC035N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC035N04LSGATMA1 bằng Infineon và BSC054N04NSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC035N04LSGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC035N04LSGATMA1 | BSC054N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +150°C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Number | — | BSC054N04NSGATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 81 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 57 W |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Lead-Free Reflow | — | Yes |