BSC035N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC035N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC054N04NSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC035N04LSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +150°C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں