BSC035N10NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC035N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC040N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC035N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC035N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
On-Resistance (RDS(on) max) 3.5 mOhm —
Power Dissipation (TA=25C) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 156 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel MOSFET —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Gate Drive Logic-level compatible (10V VGS) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 139 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin