BSC050N03LSGATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC050N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC050N03LSGATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Channel Type N-Channel —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin