BSC050N03LSGATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC050N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD35N10S3L26ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC050N03LSGATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC050N03LSGATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 80 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 5 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 35 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 71 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Green product (halogen-free) |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] |