BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC12DN20NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC340N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC12DN20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 200V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A 23 A
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
Paket PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single N-channel —
Pin Sayısı 8 —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin