BSC340N08NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC340N08NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC12DN20NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC340N08NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) OptiMOS power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A 11.3 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Product Family — OptiMOS 200V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
RoHS Durumu — Compliant
Configuration — Single N-channel
Pin Sayısı — 8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin